PSMN1R5-40YSD (1D5S40Y), NPN 40V 240A LFPAK-56 SMD Mosfet Transistör
Nexperia PSMN1R5-40YSD 40V 240A 1.5mΩ N-Kanal Güç MOSFET
Nexperia PSMN1R5-40YSD, yüksek akım ve düşük iletim direnci gerektiren güç elektroniği uygulamaları için geliştirilmiş, 40V N-kanal enhancement mode güç MOSFET'tir. NextPower-S3 Schottky-Plus teknolojisini kullanan ürün, 1.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 240A sürekli drenç akımı sınıfı ile yüksek verimli güç anahtarlama uygulamalarına yöneliktir.
PSMN1R5-40YSD, LFPAK56 / Power-SO8 (SOT669) kompakt güç kılıfında sunulur. Bakır klipsli bağlantı yapısı, düşük parazitik endüktans ve düşük parazitik direnç özellikleri sayesinde yüksek akım yoğunluğuna sahip devrelerde kullanılmak üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Üretici | Nexperia |
| Ürün Kodu | PSMN1R5-40YSD |
| Transistör Tipi | N-Kanal MOSFET |
| Çalışma Modu | Enhancement Mode |
| Drain-Source Gerilimi (VDS) | 40 V |
| Sürekli Drain Akımı (ID) | 240 A |
| Drain-Source On Direnci (RDS(on)) | 1.5 mΩ maksimum |
| RDS(on) Tipik Değeri | 1.3 mΩ |
| RDS(on) Test Koşulu | VGS = 10 V, ID = 25 A, Tj = 25°C |
| Gate-Source Eşik Gerilimi (VGS(th)) | 2.4 – 3.6 V |
| Gate-Source Gerilimi | ±20 V |
| Maksimum Güç Dağılımı (Ptot) | 238 W |
| Avalanche Akımı (IAS) | 190 A |
| Jonksiyon Sıcaklığı | -55°C ile +175°C |
| Kılıf | LFPAK56 / Power-SO8 |
| SOT Kodu | SOT669 |
| Montaj | SMD |
Öne Çıkan Özellikler
- 40V N-kanal güç MOSFET
- 240A sürekli drain akımı sınıfı
- 1.5mΩ maksimum RDS(on)
- NextPower-S3 Schottky-Plus teknolojisi
- Superfast switching özelliği
- Düşük QRR, QG ve QGD değerleri
- Düşük VSD değerine sahip Schottky-Plus gövde diyodu
- Yumuşak ters toparlanma karakteristiği
- Avalanche rated ve IAS = 190A değerinde %100 test edilmiş yapı
- Güç SO8 / LFPAK56 kompakt kılıf
- Bakır klipsli bağlantı ve düşük parazitik endüktans
- 175°C maksimum jonksiyon sıcaklığı
Kullanım Alanları
Nexperia PSMN1R5-40YSD, düşük iletim kaybı ve yüksek akım kapasitesinin önemli olduğu güç anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. Nexperia tarafından özellikle yüksek performanslı senkron doğrultma, DC-DC dönüştürücüler, yüksek verimli sunucu güç kaynakları, BLDC motor kontrolü, batarya koruma ve yüksek akım anahtarlama uygulamaları için belirtilmektedir.
- Yüksek performanslı senkron doğrultma
- DC-DC dönüştürücüler
- Yüksek verimli sunucu güç kaynakları
- BLDC motor kontrolü
- Batarya koruma devreleri
- Load-switch uygulamaları
- eFuse devreleri
- Inrush current yönetimi
- Hot-swap devreleri
NextPower-S3 ve Schottky-Plus Teknolojisi
PSMN1R5-40YSD, Nexperia'nın NextPower-S3 Schottky-Plus teknolojisini kullanır. Bu yapı, hızlı anahtarlama ve yumuşak gövde diyodu toparlanması ile birlikte düşük QRR, QG ve QGD değerleri sağlayarak yüksek verimli ve düşük EMI hedeflenen güç dönüştürücü tasarımlarına yönelik avantajlar sunar.
Düşük RDS(on) ve Yüksek Akım Kapasitesi
1.5mΩ maksimum RDS(on) değeri, MOSFET iletim durumundayken oluşan direnç kaynaklı kayıpların azaltılmasına yardımcı olur. Datasheet'te belirtilen 240A ID(max) değeri, VGS = 10V ve Tmb = 25°C koşullarındaki ürün sınıflandırmasına aittir. Gerçek uygulamadaki sürekli akım kapasitesi PCB bakır alanı, termal tasarım, soğutma ve çalışma koşullarına bağlı olarak değerlendirilmelidir.
LFPAK56 Güç Kılıfı
PSMN1R5-40YSD, LFPAK56 / Power-SO8 (SOT669) yüzeye montaj kılıfında sunulur. Bakır klipsli yapı ve düşük parazitik endüktans özellikleri, yüksek akım yoğunluğu bulunan kompakt güç elektroniği tasarımlarında avantaj sağlar. Kılıf 175°C jonksiyon sıcaklığına göre nitelendirilmiştir.
Nexperia PSMN1R5-40YSD, 40V, 240A ve 1.5mΩ sınıfındaki yüksek performanslı N-kanal güç MOSFET olarak düşük kayıplı güç anahtarlama, senkron doğrultma ve yüksek verimli DC-DC güç dönüşümü uygulamaları için uygun bir çözümdür.
| Voltaj | : | 40 Volt |
| Akım | : | 240 Amper |
| Kılıf | : | POWERPAKSO-8 (LFPAK56) |
| Kanal | : | NPN |
| Cins | : | Mosfet |