IRF3205, 55V 110A TO-220 Mosfet Transistör
Infineon IRF3205 (IRF3205PBF) 55V 110A N-Kanal MOSFET Transistör
Infineon IRF3205, yüksek akım gerektiren güç anahtarlama uygulamaları için geliştirilmiş, 55V N-kanal güç MOSFET'tir. Ürün, IRF3205PBF sipariş koduyla sunulmakta olup TO-220 kılıf içerisinde yer alan HEXFET® güç MOSFET ailesinin bir üyesidir.
IRF3205, maksimum 55V drain-source gerilimi (VDSS) ve 8mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıplı güç anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Datasheet'te 25°C kasa sıcaklığında hesaplanan sürekli drain akımı 110A olarak belirtilirken, gerçek uygulamada TO-220 kılıfının akım kapasitesi nedeniyle 75A kılıf limiti dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Üretici | Infineon Technologies |
| Ürün Kodu | IRF3205 |
| Sipariş Kodu | IRF3205PBF |
| Transistör Tipi | N-Kanal Güç MOSFET |
| Teknoloji | HEXFET® |
| Drain-Source Gerilimi (VDSS) | 55 V |
| Sürekli Drain Akımı (ID) | 110 A @ TC = 25°C |
| Kılıf Akım Limiti | 75 A |
| Sürekli Drain Akımı (ID) | 80 A @ TC = 100°C |
| Darbeli Drain Akımı (IDM) | 390 A |
| Drain-Source On Direnci (RDS(on)) | 8.0 mΩ maksimum |
| RDS(on) Test Koşulu | VGS = 10 V, ID = 62 A |
| Gate-Source Eşik Gerilimi (VGS(th)) | 2.0 – 4.0 V |
| Gate-Source Maksimum Gerilimi (VGS) | ±20 V |
| Maksimum Güç Dağılımı | 200 W @ TC = 25°C |
| Forward Transconductance (gfs) | 44 S minimum |
| Giriş Gate Charge (QG) | 97.3 nC tipik @ VGS = 10 V |
| Gate-Drain Charge (QGD) | 36 nC tipik |
| Jonksiyon Sıcaklığı | -55°C ile +175°C |
| Jonksiyon-Kılıf Termal Direnci (RθJC) | 0.75°C/W maksimum |
| Kılıf | TO-220AB |
| Montaj | THT / Through Hole |
Öne Çıkan Özellikler
- 55V N-kanal güç MOSFET
- 110A @ TC = 25°C hesaplanan sürekli drain akımı
- 75A TO-220 kılıf akım limiti
- 8.0mΩ maksimum RDS(on)
- 390A darbeli drain akımı
- ±20V maksimum gate-source gerilimi
- 175°C maksimum jonksiyon sıcaklığı
- HEXFET® güç MOSFET teknolojisi
- Fast switching karakteristiği
- Fully avalanche rated yapı
- Dynamic dv/dt rating
- Standart TO-220AB güç kılıfı
Kullanım Alanları
Infineon IRF3205, yüksek akım ve düşük iletim direnci gerektiren güç elektroniği devrelerinde kullanılan genel amaçlı bir N-kanal güç MOSFET'tir. Üretici tarafından DC motorlar, inverterler, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), aydınlatma, yük anahtarlama ve batarya ile çalışan uygulamalar gibi alanlar belirtilmektedir.
- DC motor sürücüleri
- DC-DC dönüştürücüler
- İnverter devreleri
- Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
- Batarya beslemeli güç sistemleri
- Güç anahtarlama devreleri
- Load switch uygulamaları
- Elektronik aydınlatma sistemleri
- Otomotiv ve mobil güç elektroniği uygulamaları
Düşük RDS(on) Değeri
IRF3205'in 8.0mΩ maksimum RDS(on) değeri, MOSFET iletim durumundayken oluşan direnç kaynaklı kayıpların düşük tutulmasına yardımcı olur. Bu değer VGS = 10V ve ID = 62A test koşullarında belirtilmiştir. Gerçek çalışma koşullarındaki iletim kaybı, MOSFET sıcaklığı ve üzerinden geçen akıma bağlı olarak değişir.
110A Akım Değeri ve Kılıf Sınırı
IRF3205 için datasheet'te TC = 25°C koşulunda 110A sürekli drain akımı değeri verilmektedir. Ancak bu değer maksimum jonksiyon sıcaklığı esas alınarak hesaplanan değerdir. Datasheet ayrıca TO-220 kılıfının akım sınırlamasının 75A olduğunu belirtmektedir. Bu nedenle 110A değeri ürünün her koşulda 110A sürekli akım taşıyabileceği şeklinde değerlendirilmemelidir. Gerçek uygulama akımı; PCB, soğutucu, kasa sıcaklığı, güç kaybı ve termal tasarım birlikte değerlendirilerek belirlenmelidir.
Güçlü ve Dayanıklı MOSFET Yapısı
IRF3205, International Rectifier tarafından geliştirilen HEXFET® güç MOSFET teknolojisine dayanmaktadır. Günümüzde Infineon ürün portföyünde IRF3205 olarak sunulan ürün; yüksek akım kapasitesi, düşük RDS(on), hızlı anahtarlama ve avalanche dayanımı gibi özellikleriyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır.
TO-220AB Kılıf
IRF3205PBF, yaygın kullanılan TO-220AB through-hole güç kılıfına sahiptir. Kılıfın düşük termal direnci ve standart mekanik yapısı, soğutucu kullanılan güç elektroniği devrelerinde kolay montaj imkanı sağlar. Datasheet'te maksimum jonksiyon-kılıf termal direnci 0.75°C/W olarak belirtilmektedir.
Infineon IRF3205 (IRF3205PBF), 55V, 110A sınıfında, 8mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip N-kanal güç MOSFET'tir. TO-220AB kılıfı, yüksek akım kapasitesi ve avalanche dayanımı sayesinde DC motor, inverter, SMPS, batarya ve çeşitli güç anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir.
| Voltaj | : | 55 Volt |
| Akım | : | 98 Amper |
| Kılıf | : | TO-220 |
| Kanal | : | NPN |
| Cins | : | HexFET, Mosfet |