IPW65R150CFD (65F6150), 650V 22.4A TO-247 Mosfet Transistör
Infineon IPW65R150CFD 650V 22,4A N-Kanal CoolMOS CFD2 MOSFET TO-247
Infineon IPW65R150CFD, yüksek gerilimli anahtarlama ve güç dönüşüm uygulamaları için geliştirilmiş, 650V drenç-kaynak gerilimi sınıfında N-kanal CoolMOS CFD2 güç MOSFET transistörüdür. Süper bağlantı (Superjunction) teknolojisiyle üretilen bu bileşen, düşük iletim ve anahtarlama kayıpları ile hızlı gövde diyodu özelliklerini bir araya getirir. Yüksek gerilimli güç kaynakları, rezonans dönüştürücüler ve endüstriyel güç elektroniği devrelerinde kullanılabilir.
IPW65R150CFD, 150 mΩ maksimum statik drenç-kaynak direnci (RDS(on)) sınıfında tasarlanmıştır ve uygun termal koşullarda 22,4A sürekli drenç akımını destekler. Hızlı gövde diyodu, anahtarlama sırasında oluşan komütasyon koşullarının yönetilmesine yardımcı olur. TO-247 kılıfı, yüksek güç yoğunluklu devrelerde PCB veya uygun soğutucu üzerinden ısı aktarımına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Üretici | Infineon Technologies |
| Ürün Kodu | IPW65R150CFD |
| Ürün Serisi | CoolMOS CFD2 |
| Bileşen Tipi | Güç MOSFET transistör |
| Kanal Tipi | N-Kanal |
| Drenç-Kaynak Gerilimi (VDS) | 650V |
| Sürekli Drenç Akımı (ID) | 22,4A (kasa sıcaklığı ve veri sayfasındaki test koşullarına bağlı) |
| Drenç-Kaynak Açık Direnci (RDS(on)) | Maksimum 150 mΩ, VGS = 10V koşulunda |
| Kapı-Kaynak Gerilimi (VGS) | ±20V maksimum sınır |
| Kapı Eşik Gerilimi (VGS(th)) | Yaklaşık 3,5–4,5V; veri sayfasındaki test koşullarına bağlı |
| Toplam Kapı Yükü (Qg) | Tipik 86nC |
| Maksimum Güç Dağılımı | 195,3W (kasa sıcaklığı 25°C koşulunda) |
| Gövde Diyodu | Hızlı toparlanmalı (ultra-fast recovery) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ile +150°C jonksiyon sıcaklığı aralığı |
| Kılıf Tipi | TO-247-3 (PG-TO247) |
| Montaj Tipi | Delik içi montaj (THT) |
| Terminal Yapısı | 3 pin: Gate, Drain, Source |
| Ürün Teknolojisi | Silisyum CoolMOS Superjunction MOSFET |
Öne Çıkan Özellikler
- 650V yüksek gerilim kapasitesi: Şebeke geriliminden beslenen güç dönüştürücülerinde ve yüksek gerilimli DC hatlarında anahtarlama için tasarlanmıştır.
- Düşük iletim direnci: Maksimum 150 mΩ RDS(on) değeri, uygun sürme ve sıcaklık koşullarında iletim kayıplarının azaltılmasına yardımcı olur.
- CoolMOS CFD2 teknolojisi: Superjunction yapısı, düşük anahtarlama kayıpları ve gövde diyodunun hızlı toparlanma özelliklerini bir araya getirir.
- Hızlı gövde diyodu: Rezonanslı ve yüksek frekanslı güç dönüştürücü devrelerinde komütasyon performansını destekler.
- 22,4A sürekli akım kapasitesi: Uygun soğutma ve çalışma koşullarında yüksek akımlı güç anahtarlama uygulamalarına uygundur.
- TO-247 kılıf: Güç elektroniği devrelerinde soğutucu kullanımına elverişli, sağlam bir montaj yapısı sunar.
- Endüstriyel uygulamalara uygunluk: Yüksek gerilimli güç kaynakları ve anahtarlamalı güç katlarında kullanılabilir.
Kullanım Alanları
- SMPS anahtarlamalı güç kaynakları
- Rezonanslı güç dönüştürücüler ve LLC dönüştürücü katları
- Sunucu ve telekomünikasyon güç kaynakları
- LCD televizyon ve profesyonel ekran güç devreleri
- Endüstriyel güç dönüştürücüler
- Güneş enerjisi sistemlerinin uygun yüksek gerilimli güç katları
- Yüksek frekanslı anahtarlama ve güç elektroniği prototipleri
Pin Yapısı
IPW65R150CFD, TO-247-3 kılıfında üç terminalli bir N-kanal MOSFET'tir. Üretici veri sayfasındaki kılıf çizimine göre pinler şu şekildedir:
- Pin 1: Gate (G) – Kapı kontrol terminali
- Pin 2: Drain (D) – Drenç terminali; metal arka tab ile elektriksel bağlantılıdır.
- Pin 3: Source (S) – Kaynak terminali
Tasarım ve Kullanım Notları
650V değeri, MOSFET'in drenç-kaynak gerilimi için belirtilen azami sınırdır; devredeki gerilim darbeleri ve anahtarlama geçişleri de hesaba katılmalıdır. 22,4A sürekli akım ve 195,3W güç dağılımı değerleri, veri sayfasında tanımlanan kasa sıcaklığı koşullarına bağlıdır ve soğutucu olmadan her uygulamada elde edilemez. Gate sürme gerilimi, anahtarlama frekansı, PCB yerleşimi, soğutma ve gövde diyodunun ters toparlanma davranışı tasarım sırasında değerlendirilmelidir.