IKW30N65H5 (K30EH5), 650V 55A TO-247 IGBT Transistör
IKW30N65H5 (K30EH5) – 650V 55A TO-247 IGBT
IKW30N65H5, Infineon tarafından geliştirilen TRENCHSTOP™ 5 teknolojisine sahip, 650V yüksek hızlı IGBT güç yarı iletkenidir. Ürün, hızlı ve yumuşak karakteristikli RAPID 1 antiparalel silikon diyot ile birlikte paketlenmiştir. Düşük gate yükü ve düşük anahtarlama kayıpları sayesinde yüksek anahtarlama frekanslı güç elektroniği uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar.
K30EH5 işaretlemesine sahip IKW30N65H5, PG-TO247-3 (TO-247) kılıfta sunulur. Nominal ürün sınıflandırmasında 650V kolektör-emiter gerilimi ve 30A kolektör akımı belirtilmektedir. Maksimum kolektör akımı 25°C'de 55A, 100°C'de 35A seviyesine kadar çıkabilir. Maksimum bağlantı sıcaklığı 175°C'dir.
Teknik Özellikler:
- Üretici: Infineon Technologies
- Model: IKW30N65H5
- Markalama: K30EH5
- Ürün Tipi: Yüksek Hızlı IGBT
- Teknoloji: TRENCHSTOP™ 5
- Kolektör-Emiter Gerilimi (VCE): 650V
- Nominal Kolektör Akımı (IC): 30A
- Maksimum Kolektör Akımı: 55A @ 25°C
- Maksimum Kolektör Akımı: 35A @ 100°C
- Darbeli Kolektör Akımı (ICP): 90A
- VCE(sat): 1.65V
- Gate-Emiter Gerilimi: ±20V
- Maksimum Gate-Emiter Darbe Gerilimi: ±30V
- Gate Yükü (QG): 70nC
- Maksimum Güç Dissipasyonu: 188W
- Maksimum Bağlantı Sıcaklığı: 175°C
- Çalışma Sıcaklığı: -40°C ile +175°C
- Paket: PG-TO247-3 / TO-247
- Antiparalel Diyot: RAPID 1 hızlı ve yumuşak Si diyot
Öne Çıkan Özellikler:
- 650V yüksek gerilim dayanımı
- TRENCHSTOP™ 5 yüksek hızlı IGBT teknolojisi
- Düşük gate yükü sayesinde hızlı anahtarlama
- Düşük anahtarlama kayıpları
- RAPID 1 hızlı ve yumuşak antiparalel diyot
- 175°C maksimum bağlantı sıcaklığı
- Yüksek frekanslı güç dönüşüm uygulamalarına uygun yapı
- TO-247 yüksek güçlü montaj paketi
Kullanım Alanları:
- Güneş enerjisi inverterleri
- UPS ve kesintisiz güç kaynakları
- Kaynak makineleri ve kaynak inverterleri
- SMPS ve yüksek frekanslı güç kaynakları
- Güç dönüştürücüler
- Rezonanslı güç dönüştürücüleri
- Motor sürücü ve güç kontrol sistemleri
- Orta ve yüksek anahtarlama frekanslı güç elektroniği
- Endüstriyel güç elektroniği uygulamaları
Yüksek Hızlı TRENCHSTOP™ 5 IGBT
IKW30N65H5, Infineon'un TRENCHSTOP™ 5 teknolojisini kullanan yüksek hızlı IGBT ailesinin bir üyesidir. Düşük gate yükü ve optimize edilmiş anahtarlama karakteristikleri, özellikle yüksek frekansta çalışan güç dönüştürücülerinde anahtarlama kayıplarının azaltılmasına yardımcı olur. Üretici verilerine göre ürün, önceki HighSpeed 3 ailesine kıyasla daha düşük gate yükü ve daha düşük anahtarlama kayıpları sunacak şekilde geliştirilmiştir.
Entegre RAPID 1 Antiparalel Diyot
IKW30N65H5 içerisinde IGBT ile birlikte RAPID 1 hızlı ve yumuşak antiparalel silikon diyot bulunur. Diyotun hızlı ters toparlanma karakteristiği, özellikle sert anahtarlama ve yüksek frekanslı güç dönüşüm devrelerinde verimli çalışma açısından avantaj sağlar. Diyotun maksimum ileri akımı 25°C'de 30A, 100°C'de 18A olarak belirtilmektedir.
IKW30N65H5 ile Yüksek Frekanslı Güç Dönüşümü
IKW30N65H5 (K30EH5), 650V gerilim sınıfı, yüksek akım kapasitesi, düşük gate yükü ve entegre hızlı antiparalel diyotu sayesinde yüksek verimlilik gerektiren güç elektroniği tasarımları için geliştirilmiştir. Güneş enerjisi inverterleri, UPS sistemleri, kaynak dönüştürücüleri ve yüksek anahtarlama frekanslı güç dönüştürücülerinde kullanılabilir.
| Voltaj | : | 650 Volt |
| Akım | : | 55 Amper |
| Kılıf | : | TO-247 |
| Cins | : | IGBT |