HGTP10N120BN (10N120BND), 1200V 35A TO-220 IGBT Transistör
HGTP10N120BN 1200V 35A N-Kanal IGBT Transistör TO-220
HGTP10N120BN, eski Fairchild Semiconductor ürün ailesinden gelen ve günümüzde onsemi ürün adıyla listelenen, yüksek gerilimli güç anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış N-kanal NPT (Non-Punch Through) IGBT transistördür. MOSFET benzeri yüksek giriş empedansını ve bipolar transistörlerin düşük iletim kaybı avantajını bir araya getiren IGBT teknolojisi, güç elektroniği devrelerinde verimli anahtarlama kontrolü sağlar.
1200V kolektör-emiter gerilim dayanımına ve 25°C gövde sıcaklığında 35A maksimum kolektör akımına sahip HGTP10N120BN, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç dönüştürücülerde kullanılabilir. TO-220 kılıfı, uygun PCB yerleşimi ve termal tasarımla güç elektroniği uygulamalarına entegrasyon olanağı sunar.
Teknik Özellikler
| Ürün kodu | HGTP10N120BN |
| Üretici | onsemi / Fairchild Semiconductor |
| Transistör tipi | N-kanal IGBT, NPT |
| Kolektör-emiter gerilimi (VCES) | 1200 V |
| Maksimum sürekli kolektör akımı (IC) | 35 A (TC = 25°C koşulunda) |
| Darbe kolektör akımı (ICM) | 80 A (veri sayfasındaki darbe koşullarına bağlı) |
| Maksimum güç dağılımı | 298 W (TC = 25°C koşulunda) |
| Kolektör-emiter doyum gerilimi (VCE(sat)) | Maks. 2,7 V (IC = 10 A, VGE = 15 V koşulunda) |
| Kapı-emiter gerilimi (VGE) | ±20 V maksimum sınır |
| Kapı yükü (Qg) | Yaklaşık 100 nC (test koşullarına bağlı) |
| Anahtarlama yapısı | NPT IGBT, kısa devre dayanım özellikli |
| Kılıf | TO-220, 3 pin |
| Montaj tipi | Delikli montaj (Through-Hole) |
| Bağlantı sıcaklığı (TJ) | -55°C ile +150°C |
Öne Çıkan Özellikler
- 1200V kolektör-emiter gerilim dayanımı.
- 25°C gövde sıcaklığında 35A maksimum sürekli kolektör akımı.
- NPT IGBT yapısı ile yüksek gerilimli anahtarlama uygulamalarına uygunluk.
- Düşük iletim kaybı hedefleyen güç anahtarlama tasarımı.
- Kısa devre dayanımı ve anahtarlama güvenilirliği için tasarlanmış yapı; gerçek koruma koşulları veri sayfasına göre değerlendirilmelidir.
- TO-220AB kılıf sayesinde uygun soğutucu ve PCB tasarımıyla kullanılabilme.
Kullanım Alanları
- Yüksek gerilimli anahtarlamalı güç kaynakları.
- AC ve DC motor kontrol devreleri.
- Endüstriyel güç dönüştürücüler ve invertörler.
- Solenoid, röle ve kontaktör sürücüleri.
- Güç elektroniği anahtarlama devreleri.
- Elektronik cihazların bakım ve onarım uygulamaları.
Pin Yapısı ve Tasarım Notları
HGTP10N120BN, TO-220 kılıfta sunulur. Üretici çizimine göre pin dizilimi Gate, Collector ve Emitter bağlantılarından oluşur; metal montaj sekmesi kolektöre bağlıdır. Devreye bağlamadan önce üretici veri sayfasındaki kılıf çizimi ve pin dizilimi kontrol edilmelidir.
35A maksimum kolektör akımı ve 298W güç dağılımı, belirli test ve soğutma koşullarında geçerli değerlerdir; her uygulamada sürekli kullanılabilecek değerler olarak değerlendirilmemelidir. Gerçek çalışma akımı, anahtarlama kayıpları, gövde sıcaklığı, soğutucu ve termal direnç dikkate alınarak belirlenmelidir. Kapı-emiter gerilimi ±20V sınırını aşmamalıdır.
| Voltaj | : | 1200 Volt |
| Akım | : | 35 Amper |
| Kılıf | : | TO-220 |
| Kanal | : | NPN |
| Cins | : | IGBT |